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低噪音电子元器件可以增加处理速度，提高信号流量，以此保证高温和强烈的辐射条件下的X射线信号处理能力。
所选用的电子元器件噪音很低，可以准确识别和表征72ev以下的x射线。
通过对一个标样的测量，即可使用EDS数据直接测量样品的厚度。
原位反应过程中的实时化学成像显示反应过程中的元素变化。
1. Extreme Electronics
该电子元器件初始是为了在SEM中探测Li所设计，他们具有很低的噪声，这确保了所有计数率下的良好能量分辨率和高质量谱图。在TEM中，很难达到很高的计数率，然而，这些更灵敏的电子元器件在快速信号后所得到的能量分辨率有显著提高，因此可以在更快的处理时间下工作，以缩短采集时间而得到同样质量的结果。
4. 优异的低能端性能
立体角和出射角的优化，再加上无窗探测和低噪音电子元器件，使得x射线的探测灵敏度大大提高。这意味着Ultim Max可以探测到比以往更低能量的x射线，同时对传统的低能量x射线（如氧和氮）保持着极高的灵敏度。
200kV下采集的AlF能谱显示72eV处的Al Ll X射线。
Ultim Max的标准配置是无窗型。无窗EDS的灵敏度是传统EDS的8倍。对于高能x射线，传统的SDD被窗口支撑遮挡了40%，而低于1kev的x射线则被窗口材料本身吸收。
无窗相对于传统薄窗对特定x射线的灵敏度有大幅提升。
2. 优化的立体角
立体角对于透射中EDS应用非常重要，它与探头所接收到的来自于样品的X射线多少息息相关。对TEM EDS而言,立体角(Ω)的定义如下：由产生特征X射线的点作为圆心，有效晶体面积所覆盖的圆的角度即为立体角。
最简单的定义是:
(Ω) (sr) = A/d2
其中A为SDD传感器的有效面积，d为其与x射线产生点的距离。
我们对Ultim Max中的晶体（80 mm2和100 mm2有效面积）进行了优化，使其能够更接近样品，这将极大限度地提高A, 减小d值。 在使用上述公式时, 单个的立体角度可达到 1.1 sr
5. 定量准确性的提高
新的质量厚度方法(M2T)减少了不同厚度样品的定量误差。TEM样品的厚度很少是均匀的，尤其重要的是，它们几乎不是无限薄的。这意味着使用著名的Cliff-Lorimer公式进行定量可能会变得不准确，特别是如果您的样品包含了能量范围很广的x射线。这可以用厚度和密度来修正，但是这些很难测量。
通过对仪器提供的标样进行一次测量, 可以对TEM束流密度和有效立体角进行校准, 从而能够对待测样品的质量厚度(ρt) 进行量化，然后AZtec自动应用适当的吸收校正, 以提高该样品定量的准确性。
8. 实时元素成像
AZteclive是SEM上EDS的革命性技术,现在已用于TEM。结合电子图像、元素分布图和不断更新的x射线谱图，AZtecLive提供了样品元素组成和形态的实时反馈。在TEM中,能谱的计数率通常不足以支持快速电子成像的同时得到高质量的元素分布图，但是,略微增加扫描时间至每2-3s/帧,您就可以实时观察原位实验过程中样品元素成分的变化。
此截图视频显示了Au从720°C加热到800°C过程的元素和形态变化(倍速20x)。
3. 增加出射角
在TEM中，确保的立体角有效同样重要。由于没有一个TEM试样或夹持器是完全二维的，因此SDD在试样倾斜较低的情况下会产生阴影，降低有效立体角。我们改进了EDS，使出射角最大化。由于立体角的优化，重新设计后的Ultim Max和Xplore，综合考虑了立体角与检出角，这意味着在低倾角下传感器的阴影更少，因此有效立体角更大。这样做的结果是在较低的倾转下得到更多的计数, 这对于需要特定或较低倾转的样品(如器件) 极为重要。
6. 适用于原位
观察反应的发生是目前许多TEM实验的关键部分。以往在这些实验中收集元素信息一直很困难，因为EDS很容易被体积庞大的原位杆遮挡，而且x射线信号可能会被来自加热元件的辐射和可见光淹没。通过改进Ultim Max和Xplore的出射角，减少了原位杆的阴影区域，可以收集更多的x射线，并可以对气体或液体细胞中的样品成像。与此同时，Extreme 电子元器件使得能够在更高的温度下继续收集x射线。
利用utim Max TEM在900°C下对10nm Au进行EDS分析
9. 测量样品厚度
M2T 样品的质量厚度(ρt)。AZtecTEM允许用户输入给定样品的密度，这样用户就可以自动获得每个样品的厚度，而不需要EELS(电子能量损失光谱)或复杂的衍射技术。局部密度的测量是困难的，它可能不均匀，但是对于许多样品来说，平均密度可以从组成元素中估算出来，并出合理的样品厚度。这使得用户能够获取诸如位错密度等与体积相关的数据。
二维HAADF图像的三维表示和利用EDS对试样厚度的相关测量
我们TEM的旗舰款SDD-Ultim Max TLE-经过设计优化，提高了小束斑下的计数率，可表征原子尺度的元素信息。
这一性能是通过优化的晶体形状，100mm2大面积晶体，无窗结构，优化的机械设计和Extreme级电子元器件来实现的。
Ultim Max TEM，用于纳米尺度分析和元素面分布的SDD。
在任何情况下，使用新型的低轮廓80mm2传感器都能更接近样品，提供更多的x射线计数。该结合了无窗设计和低噪音电子元器件 , 为 200kV下EDS分析提供高质量数据。
Xplore TEM是专门为120kV和200kV TEM的常规应用而设计的SDD。
使用新的 80 mm2 传感器和聚合物薄窗口和低噪音电子元器件 , 该提供快速和准确的元素表征。
Ultim Max TLE针对生物样品分析进行了优化，通过在最小探测尺寸下最大化低能X射线计数率，实现对电子束敏感样品快速、准确的数据采集。
用于生命科学应用的Ultim Max TLE探测器优势：
图片：一个未染色的植物叶细胞，用醛固定，嵌入伦敦白胶，超薄切片至100nm厚，仅用元素图显示细胞核、液泡、液泡膜和细胞膜，图像中不包含电子数据。特别是钙在细胞膜和细胞核中有独特的分布。
用200kV（S）TEM和Ultim Max TLE从100nm厚的树脂包埋切片中采集了染色（左）和未染色并嵌入伦敦白胶中的拟南芥叶片样品。EDS在未染色的细胞和组织中形成衬度，有助于识别细胞成分，以避免可能掩盖或扭曲正常结构和元素图的染色。叶绿体（C）中的类囊体膜（橙色箭头）可以在染色细胞和未染色样品的磷面分布图中看到。
在伦敦国王学院超微结构成像中心采集的透射电镜数据
REAL-TIME CHEMICAL MAPPING
SiN膜上10nm Au膜从0 - 800°C加热过程的颗粒团聚。(倍数20x)
FIB制备的Al2Cu薄片在0 - 450°C升温过程中的析出与固溶(倍速20x)
即使在高温下
立体角和出射角的增加,再加上无窗检测和低噪音电子元器件，大大提高了X射线的探测灵敏性。这意味着 ultim max 现在可以探测到比以往任何时候都更低的 x 射线能量。Extreme级电子元器件与X4脉冲处理器的结合，还允许在>800°C高温下进行元素EDS成像和定量。
样品的厚度
我们易用的量化程序允许根据质量厚度优化定量结果。仅仅使用EDS就可以对原子尺度的纳米颗粒进行精确定量，还可以对样品测厚以帮助深入了解电子图像中的衬度差异。
Ultim Max 是新一代硅漂移(SDD)，利用我们的Extreme级电子元器件，在增加信号处理能力的情况下极大的提高了灵敏度，这保证了AZtecTEM在分析元素、样品厚度测量时的简易性、准确性和时效性。
EDS是一种成熟的技术，可用于大多数样品。EELS更适用于厚度小于材料中电子非弹性平均自由程的薄试样。同时采集两种信号是材料分析的有力工具。
对于材料而言，主元素与微量掺杂元素经常会有严重的谱峰重叠，这就大大增加了此类材料定量定性的分析难度。以下展示了 AZtecTEM 如何解决这些谱峰重叠,并实现准确的元素分析。
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