STEM-EDS分析GaN晶体管栅极的元素分布

背景

自硅基半导体作为一个规模庞大的产业发展起来后，集成电路单位面积上晶体管的数量增加趋势始终遵循摩尔定律。目前，硅基半导体中的关键尺寸（线宽或特征尺寸）已经降低到到 10nm 以下。相比于硅基半导体，化合物半导体如 SiC 和 GaN 基半导体可以满足更苛刻的工作条件（高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等），具有更大的输出功率和更好的频率特性，市场需求方兴未艾。化合物半导体的应用场景面向射频、高电压大功率、光电子等领域，不追求硅基半导体级别的先进制程工艺。如GaN制程的基本线宽在0.25～0.50µm ，生产线以4英寸为主。